[发明专利]分数阶忆阻桥电路、及由其构成的突触电路和神经元电路有效
| 申请号： | 202010757451.5 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111898748B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 蒲亦非;余波;何秋燕;袁晓;张妮;王竹 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06N3/04 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 陈立志 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及忆阻领域，公开了一种分数阶忆阻桥电路、及由其构成的突触电路和神经元电路，以便实现更准确的神经突触加权。本发明包括两个v阶增量式容性分忆抗、两个集成运算放大器、两个第一电阻以及两个第二电阻；其中，两个增量式容性分忆抗的增量相反；两个第一电阻的一端均接地，两个第一电阻的另一端分别连接两个集成运算放大器的负输入端，两个第二电阻的一端并联在脉冲输入端，两个第二电阻的另一端分别连接两个集成运算放大器的正输入端，两个容性分忆抗的负极分别连接两个集成运算放大器的负输入端，两个容性分忆抗的正极分别连接两个集成运算放大器的正输入端。本发明适用于神经突触加权。 | ||
| 搜索关键词： | 分数 阶忆阻桥 电路 构成 突触 神经元 | ||
【主权项】：
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