[发明专利]在蓝宝石衬底上沉积金属铂薄膜图形的方法及产品和用途在审
| 申请号： | 202010758008.X | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111739797A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;杨永兴;李晓晴;饶丹丹 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所华东分所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L49/02;C23C18/16;C23C18/44 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215011 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上沉积金属铂薄膜图形的方法及产品和用途。本发明属于薄膜集成电路科技领域。本发明的工艺旨在蓝宝石衬底表面沉积金属铂薄膜图形，作为薄膜集成电路中互连线、焊接区和电容器电极，提高电子互联的可靠性。本发明采用预先微蚀处理、打印化学镀铂液、激光扫描沉积铂表面和热处理方法，铂镀层质量好，生产效率高，节约原材料及环保，对人体健康危害小等优点，并充分满足薄膜集成电路要求。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 沉积 金属 薄膜 图形 方法 产品 用途 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
