[发明专利]一种非光刻图形化掩模的制造方法

摘要

本发明提供了一种非光刻图形化掩模的制造方法，包括以下步骤：S1.在衬底上设置一层高分子材料；S2.将这层高分子材料中部分不需要保留的区域接触含有阻聚剂或缓聚剂的溶液；S3.对包含高分子材料的衬底进行热处理；S4.将包含高分子材料的衬底浸在显影溶液或通过喷雾显影法显影，直到高分子材料接触阻聚剂或缓聚剂的区域溶解。本发明和传统光刻工艺或干膜工艺相比，此图形化掩膜的方法不需要光源与曝光过程，并且高分子材料中并不需要添加光敏成分，大幅降低材料成本，在需要低成本掩膜的应用领域。