[发明专利]一种高致密碳化硼陶瓷材料及其无压烧结的制备方法在审
申请号: | 202010758153.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111825458A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李瑞迪;袁铁锤;邹亮;周志辉;张梅;闫亚超 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C04B35/563 | 分类号: | C04B35/563;C04B35/622;C04B35/65 |
代理公司: | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 周咏;林毓俊 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种高致密碳化硼陶瓷材料及其无压烧结的制备方法,其原料按照质量百分比,由以下组份组成:二硅化铬2~8%,碳化硅4~10%,铝0~2%,聚酰亚胺粉3~8%,炭黑0.5~2.5%,余量为碳化硼。本发明为了提高碳化硼陶瓷的致密度,常添加与碳化硼有较好润湿性的金属单质或其化合物。本发明采用加入二硅化铬和碳化硅作烧结助剂提高其力学性能。二硅化铬可以与碳化硼形成共晶液相实现液相烧结,可显著提升碳化硼致密度。碳化硅还可钉扎在碳化硼晶界处阻碍晶粒长大,提升其力学性能。两种烧结助剂作为第二相粒子与碳化硼基体混合良好,润湿性较好,可以提高陶瓷材料结合面的强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 致密 碳化 陶瓷材料 及其 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】:
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