[发明专利]一种基于HBT工艺的宽带混沌电路

摘要

本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路，包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块，晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联，输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极，选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连，晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定，受寄生参数影响较小，电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号，混沌信号平坦，基频3.79GHz，频谱覆盖3‑12GHz，适用于宽带射频无线通讯；适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。