[发明专利]一种图像传感器像素阵列结构及制作方法有效
申请号: | 202010759946.1 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN112002717B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 叶果;王兆民 | 申请(专利权)人: | 奥比中光科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 孟学英 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种图像传感器像素阵列结构及制作方法,结构包括像素晶圆和逻辑晶圆,其中,所述像素晶圆包括:硅基感光像素阵列,用于接收入射光以转换成电信号;深隔离结构,位于相邻硅基感光像素之间的,用于所述相邻硅基感光像素之间的光学隔离和电学隔离;硅基微透镜阵列,位于硅基感光像素阵列的上方,与所述硅基感光像素阵列自成一体,用于会聚入射光进入所述硅基感光像素阵列;钝化层,沉积于所述硅基微透镜阵列,用于保护硅基微透镜阵列;所述逻辑晶圆,包括互补金属氧化物半导体器件,用于处理来自所述硅基感光像素阵列的电信号。消除传统有机微透镜和硅基感光像素之间的折射率差,减少微透镜阵列和感光像素阵列界面处的入射光反射损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 像素 阵列 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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