[发明专利]一种超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法有效
| 申请号： | 202010760136.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112054054B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 胡彦飞;纪宇婷;郭辉;梁佳博;何艳静;袁昊;王雨田 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形；采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，石墨烯降低了与SiC界面的势垒，欧姆接触的比接触电阻率达到10 |
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| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻 sic 欧姆 制备 方法 | ||
【主权项】：
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