[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010760550.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018237B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 邱泰玮;沈鼎瀛;相奇 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的底部电极金属层和位于所述半导体衬底上的顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的第一抓氧层，所述第一抓氧层位于所述阻变层之上；位于所述底部电极金属层中的第二抓氧层，所述半导体衬底、所述底部电极金属层和第二抓氧层的上表面平齐，所述阻变层覆盖所述半导体衬底、所述底部电极金属层和所述第二抓氧层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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