[发明专利]一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法有效
| 申请号： | 202010761208.0 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111847458B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张洪涛 | 申请（专利权）人： | 辽宁中色新材科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人： | 王佳佳 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法，将原料三氧化钼、二氧化硅和高纯石墨粉，加入工业干粉成型剂，在混料器中混料，按照1公斤每份放入油压机压制，获得压制块料；将压制块料用500公斤真空无压烧结炉真空烧结，送电抽真空至3Pa，350℃烧结1小时‑2小时，1620℃保温，炉内真空度为20Pa‑25Pa之间继续升温；1850℃保温10小时‑15小时，降温，温度降低1250℃，真空度抽到3Pa‑4Pa，保温5小时，硅和钼充分化合，停电降温，得到二硅化钼。以氧化钼为原料，原料成本低廉，且整个工艺合理可控，可以制备出单相高纯度二硅化钼，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 低成本 二硅化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
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