[发明专利]一种锰酸钴/硫化镍核壳阵列结构电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010761330.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111986929A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 孟素慈;徐箐;王银涛;姜德立;陈敏 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;C01G51/00;C01G53/11;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及超级电容器电极材料，具体涉及一种以泡沫镍为基底的锰酸钴/硫化镍核壳阵列结构复合电极材料的制备方法。本发明通过简单安全的电沉积法将硫化镍纳米片包覆在锰酸钴表面，形成以锰酸钴纳米针为核、硫化镍纳米片为壳的核壳阵列结构。该材料可直接用作超级电容器电极，其核壳阵列结构能够有效促进离子分散与电子传输，硫化镍的引入增大了电极材料的比表面积且增多了有效活性位点，提高了材料的导电性和表面亲水性能，进而使所得自支撑核壳阵列结构锰酸钴/硫化镍电极材料具有更好的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锰酸钴 硫化 镍核壳 阵列 结构 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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