[发明专利]一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法有效
| 申请号： | 202010762526.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112054055B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 胡彦飞;纪宇婷;郭辉;梁佳博;何艳静;袁昊;王雨田 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 扩散 阻挡 sic 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
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