[发明专利]一种高稳定的硅碳负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010762541.3 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111816862A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 仰永军;吴武 | 申请（专利权）人： | 广东凯金新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/05;C01B33/021 |
| 代理公司： | 东莞市启信展华知识产权代理事务所(普通合伙) 44579 | 代理人： | 冯蓉 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高稳定的硅碳负极材料及其制备方法，包括多孔硅核和碳包覆壳，碳包覆壳包覆在多孔硅核外侧，在多孔硅核和碳包覆壳之间还预留有膨胀空隙。本发明通过将微米级Si02粉末在950℃高温处理5小时，得到Si/Si02混合物，再对Si/Si02混合物进行HF酸刻蚀处理，除去Si02，进而形成多孔结构的多孔硅核，多孔结构为多孔硅核在充放电过程中形成的体积膨胀提供膨胀空间，防止多孔硅核在不收缩膨胀后造成本硅碳负极材料的粉末化的现象发生，使得本硅碳负极材料的稳定性更高，在多孔硅核和碳包覆壳之间形成膨胀空隙，膨胀空隙为多孔硅核在放电过程中形成的体积膨胀提供膨胀空间，更加有效的解决了多孔硅核在碳包覆壳内发生膨胀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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