[发明专利]晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构

摘要

本发明提供了一种晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构，第一晶圆包括非金属层区域和分布有所述第一金属层的金属层区域；位于非金属层区域的第一调整层低于位于金属层区域的所述第一调整层；第二调整层覆盖第一调整层；化学机械研磨所述第二调整层和所述第一调整层，研磨液对第一调整层和第二调整层的研磨速率不同，使在非金属层区域剩余的第二调整层高于或低于在金属层区域剩余的第一调整层，在非金属层区域形成第一凸起部或第一凹陷部，以匹配与其键合的有凹陷或凸起的晶圆或芯片。减少键合间隙，提高工艺质量以及产品良率。消除或减少由于化学机械研磨工艺带来的局部位置凹陷，修正上下晶圆的键合空隙，提高键合强度以及质量。