[发明专利]基于Si衬底的N极性面富Al组分氮化物材料生长方法在审

专利信息
申请号: 202010763410.7 申请日: 2020-07-31
公开(公告)号: CN111863599A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 周启航 申请(专利权)人: 佛山紫熙慧众科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L33/32
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于Si衬底的N极性面富Al组分氮化物材料生长方法,其中,具体包括以下步骤:S1:在Si衬底的表面设置Si3N4膜,该Si3N4膜的晶体取向为(001)方向;S2:在所述Si3N4膜的表面依次沉积生长AlN成核层以及AlN buffer层;S3:在所述AlN buffer层上外延生长GaN膜;S4:在所述GaN膜的表面外延生长富Al组分的氮化物薄膜;本技术方案中,通过采用上述生长方法,能较好的制备出富Al组分氮化物材料,该生长方法工艺简单,可操作性强,有利于推动氮化物基紫外LED的应用。
搜索关键词: 基于 si 衬底 极性 al 组分 氮化物 材料 生长 方法
【主权项】:
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