[发明专利]高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3有效

专利信息
申请号: 202010764039.6 申请日: 2020-08-01
公开(公告)号: CN111925540B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 彭信文;刘颖波;孔梦乐;祝泽伟;侯豪情 申请(专利权)人: 江西师范大学
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L79/08;C08K3/22;C08K3/16
代理公司: 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 代理人: 黄晶
地址: 330000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜及其制备方法。采用一种简便的方法合成高质量的CsPbBr3钙钛矿粉末,并溶解于DMF溶剂中得到CsPbBr3/DMF溶液;然后通过溶液共混制备不同比例的CsPbBr3/PAA前驱体,再将共混溶液经过涂膜加热,涂膜,经过热亚胺化得到纳米钙钛矿CsPbBr3/聚酰亚胺复合膜。与现有技术相比,本发明的纳米钙钛矿CsPbX3/聚酰亚胺复合膜具有更高的介电常数(4.03~11.5),而且保持着聚酰亚胺优异的热学及力学性能。均匀分散在聚酰胺酸膜中的钙钛矿,在热亚胺化过程中重新结晶,形成纳米钙钛矿,为20~600纳米,提高了其介电常数。
搜索关键词: 介电常数 纳米 钙钛矿 cspbx base sub
【主权项】:
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