[发明专利]一种高强度碳化硅悬臂桨及其制备方法在审
| 申请号： | 202010765301.9 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111863677A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王丽荣 | 申请（专利权）人： | 福赛特（唐山）新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18;C04B41/50;C04B41/87;C30B31/14 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 刘闻铎 |
| 地址： | 063000*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光伏行业的技术领域，特别是涉及一种高强度碳化硅悬臂桨及其制备方法，大大提高碳化硅悬臂桨的强度，提高渗层致密性，提高其使用可靠性；包括悬臂桨本体，悬臂桨本体包括固定区、过渡区以及负载区，所述过渡区左端设置有凸起，所述固定区设置有与凸起滑动配合的凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 碳化硅 悬臂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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