[发明专利]一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法

摘要

本发明属于红外传感器的研究领域，涉及一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法。本发明选用NiCr合金作为上电极和吸收层时的同时，利用“单晶热释电薄膜与NiCr合金膜的刻蚀速率差异”将其作为刻蚀掩膜实现多元红外传感器件的制备。本方法仅需一次光刻即可完成多元器件的微细加工，减少单晶薄膜多元器件光刻次数，避免了多次光刻中光刻胶均匀性、对准精度控制等难题；单晶薄膜刻蚀完成后剩余的NiCr合金膜用作上电极和吸收层，无需去除；并且通过干法刻蚀使NiCr合金膜产生粗化效应，减少其对红外光的反射作用，提高NiCr合金膜对红外辐射的吸收，进而提高器件性能。