[发明专利]SBD器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010765355.5 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111785785B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;陈雨轩;孙晓娟;蒋科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SBD器件结构及其制备方法，SBD器件结构包括衬底、生长于衬底上的外延层、制备于外延层上的容纳槽内的纳米柱阵列、制备于外延层上位于纳米柱阵列区域的肖特基接触电极和制备于衬底背离外延层一侧的欧姆接触电极。本发明利用纳米柱实现SBD器件阳极肖特基型金属‑半导体肖特基接触面积的增大，从两个方面综合提升SBD器件的正向导通特性：一方面，纳米柱能够增大导通时的电流密度，从而提高饱和电流并降低导通电阻；另一方面，纳米柱能加强外接偏压对外延层的控制能力，有效提高SBD器件的电流驱动能力，从而降低了SBD器件的开启电压，减小开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | sbd 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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