[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010765843.6 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113363261A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 山本博昭;麻生真一;川畑健一;宫田晴行;下川隆浩;梅泽多佳子;佐佐木俊介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578;G11C16/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够抑制芯片面积的增加并且提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置在基板上具备存储区域(600)和形成有MOS晶体管(100)的外围电路区域(500)。MOS晶体管(100)具有沿着与基板表面平行的第一方向配置的漏极区域(120)以及源极区域(130)。在漏极区域(120)的表面，形成有供相对于基板在垂直方向上延伸的接触插塞(122)连接的漏极电极(121)。另外，在源极区域(130)的表面，形成有供相对于基板在垂直方向上延伸的接触插塞(132)连接的源极电极(131)。在从第一方向投影的情况下，漏极电极(121)具有与源极电极(131)不重叠的区域，源极电极(131)具有与漏极电极(121)不重叠的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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