[发明专利]一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010766289.3 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111863948A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黄愉;谢自力;王勇;潘巍巍;陈敦军 | 申请（专利权）人： | 南京集芯光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种带栅源桥的GaN基P‑GaN增强型HEMT器件结构及其制作方法，生长完GaN cap层后取出外延片利用薄膜沉积设备生长SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 带栅源桥 gan 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京集芯光电技术研究院有限公司，未经南京集芯光电技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010766289.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全自动装箱机
- 下一篇：一种数控机床的物料转移机构
- 同类专利
- 专利分类
