[发明专利]一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法在审
| 申请号： | 202010766557.1 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111847377A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 马铁英;王佳晨;李达波 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把它进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号后放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再进行第三次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，再用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅再放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到腐蚀硅片四号，最后用混合酸腐蚀溶液进行第五次腐蚀圆滑侧面凸角得到最终的硅基MEMS微半球阵列，本制备方法新颖且高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 半球 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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