[发明专利]一种臭氧化碱抛光SE—PERC太阳能电池制备方法在审
申请号: | 202010767827.0 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN111883618A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 韩超;王森栋;赵晨;戴大洲 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池制备领域,一种臭氧化碱抛光SE—PERC太阳能电池制备方法,制备过程中,严格按制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行,其中,臭氧化步骤中,在常温下,在正面重掺杂区用臭氧进行氧化,形成1.0‑4.0nm致密的二氧化硅保护层,本发明通过采用臭氧化和碱抛光结合,有效防止了在传统碱抛光过程中表面磷松落导致的方阻上升问题,防止了电极印刷后银硅接触差,降低电池转化效率的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 臭氧 抛光 se perc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的