[发明专利]一种新型二维电子气浓度调控的晶体管结构及制作方法有效
| 申请号： | 202010767834.0 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111799326B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张彦芳;钟乘煌;何晓;丁盛;高梁 | 申请（专利权）人： | 无锡职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214121 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型二维电子气浓度调控的晶体管结构及制作方法，涉及半导体技术领域，该新型二维电子气浓度调控的晶体管结构包括衬底及制作在衬底上的氮化镓铝/氮化镓异质结构，氮化镓铝/氮化镓异质结构界面形成二维电子气，氮化镓铝/氮化镓异质结构上制作ε相氧化镓层，本申请利用ε相氧化镓层的自发极化和外加电场下的极化翻转行为和特性，对异质结构界面二维电子气浓度进行调控，可实现异质结构界面二维电子气浓度的增强或耗尽，不仅有利于提高器件的性能，而且为实现低导通电阻或增强型晶体管提供了新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 二维 电子 浓度 调控 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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