[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010768546.7 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068409A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 涂武涛;陈建;邱晶;李锦锦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，提供基底；在基底上形成介质层，介质层内具有第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口内形成初始栅介质层；在第一开口和第二开口内的初始栅介质层表面形成第一初始功函数层；去除第一开口内的第一初始功函数层和部分初始栅介质层，形成第一栅介质层；在第一开口和第二开口内形成第二初始功函数层；去除第二开口内的第一初始功函数层、第二初始功函数层以及部分初始栅介质层，形成第二栅介质层。通过不同的制程步骤分别形成第一栅介质层和第二栅介质层，使得第一栅介质层和第二栅介质层的高度可以分别进行调整控制，进而保证最终形成的第一栅介质层和第二栅介质层的高度一致，以此提升最终形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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