[发明专利]基于双采样率像素化掩模图形快速光学邻近效应修正方法有效
申请号: | 202010770073.4 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN111856872B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 陈国栋;李思坤;王向朝 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正方法,以低采样率掩模图形的透过率矩阵作为目标图形,以高采样率掩模图形的透过率矩阵作为待修正图形。从待修正图形的频谱中提取出低频部分作为低采样率掩模图形的频谱,利用光刻成像模型计算出光刻胶图形。根据光刻胶图形与目标图形计算成像异常。根据成像异常类型,自适应地选择待修正区域,通过对高采样率掩模图形的透过率矩阵进行局部调整,实现掩模图形的修正,使光刻胶图形轮廓逐渐逼近目标图形轮廓。本发明采用两种采样率对掩模图形进行采样,兼顾了掩模修正精度和修正效率;同时,自适应地选择修正区域,进一步提高了掩模修正效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 采样率 像素 化掩模 图形 快速 光学 邻近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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