[发明专利]反应釜、生长氮化镓晶体的装置及方法在审
| 申请号： | 202010770309.4 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112048771A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 高明哲 | 申请（专利权）人： | 上海玺唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B7/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 宋永慧 |
| 地址： | 201600 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反应釜、生长氮化镓晶体的装置以及生长方法。反应釜为材料在超临界流体中生长提供高温和超高压环境，包括釜体，具有第一筒体和套设于第一筒体外壁的第二筒体，其中，第一筒体具有容纳待生长材料的容腔，第二筒体用于使所述第一筒体产生压缩预应力；密封件，设置于釜体的开口端，用于密封釜体；以及加热部件，设于第二筒体外壁，用于加热釜体。上述反应釜的内径范围可以为25mm至300mm，利用上述反应釜生长氮化镓晶体可以显著提高氮化镓晶体的尺寸和产量，同时还可以降低生产成本，有利于氮化镓晶体的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 生长 氮化 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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