[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202010771139.1 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112133804B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;吴志浩;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括透明基板、外延层和金属电极；外延层覆盖在透明基板的第一表面上；外延层的第二表面包括凸起部、凹陷部和连接部，第二表面和外延层的第三表面相反，第三表面与第一表面接触；凸起部和凹陷部为相互平行的平面，凸起部与第一表面之间的距离大于凹陷部与第一表面之间的距离；凸起部和凹陷部通过连接部连接在一起，连接部上各个点的切平面与凸起部之间的夹角相同；金属电极至少覆盖在凸起部和连接部上，金属电极中的金属原子扩散到外延层中形成欧姆接触。本公开可以在芯片尺寸缩小的情况下避免芯片的电压升高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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