[发明专利]一种实现器件在平行于衬底表面的外磁场下具有M型磁阻曲线的方法在审
| 申请号： | 202010771744.9 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112038486A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李慕禅;田仲政;彭沛;于学敏;于达程;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/14;H01F10/08;H01F13/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在平行于衬底表面的外磁场下实现器件具有M型磁阻曲线的方法，属于微纳尺度器件技术领域。该方法通过改变二维沟道的形状来改变沟道电流流向，使沟道电流具有至少两种流向，从而得到不同取向的磁阻曲线相叠加而产生的多种不同的M型磁阻曲线。由于沟道设计成非直线的形状，因此具备可拉伸的特点，故该种器件可以在柔性衬底上制备使用。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、组合沟道尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 器件 平行 衬底 表面 磁场 具有 磁阻 曲线 方法 | ||
【主权项】：
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