[发明专利]一种基于MEMS结构的可调电容有效
| 申请号： | 202010771747.2 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112038091B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 孟庆南 | 申请（专利权）人： | 厚元技术（香港）有限公司;厚元电子技术有限公司;厚元科技有限公司;厚元通信电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G5/38 | 分类号： | H01G5/38;H01G5/16;H01G5/01;H01G5/011 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 中国香港湾仔港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于MEMS结构的可调电容，包括下极板A，活动极板B、上极板C、固定装置D和连接线导体E，固定装置D的下端与下极板A固定连接，固定装置D的上端与上极板C固定连接，活动极板B的中部设置有配合固定装置D且能自由平行移动的结构B4,活动极板B通过结构B4固定在于固定装置D中部，并且活动极板B可沿固定装置D进行上下移动；下极板A上设置有下电极A1,活动极板B上设置有活动电极B1,调整电极B2；下电极A1与活动电极B1组成单元电容；上极板C上设置有上电极C1、调整电极C2；本发明不仅具备高Q值，同时还具备高耐电压、耐电流的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 结构 可调 电容 | ||
【主权项】：
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