[发明专利]一种CdMnTe成像探测器的制备方法有效
| 申请号： | 202010771822.5 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111900213B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张继军;李磊;黄健;凌君;王林军;梁小燕;王淑蕾 | 申请（专利权）人： | 上海大学;中广核工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18;C23C14/18;H01L27/146;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 刘立平;张勤绘 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdmnte 成像 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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