[发明专利]一种铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法在审
| 申请号： | 202010773005.3 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111883432A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 天水华洋电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C22F1/08;C23G1/10;C25D3/38 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 许振强 |
| 地址： | 741020 甘肃省*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法，属于微电子封装材料技术领域。本发明主要通过第一酸洗、预镀铜粗化、第二酸洗、冷轧加工和退火处理这五个步骤来实现铜粗化无引脚封装引线框架的制备。本发明的铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法，将其用于集成电路芯片的可靠性高，能够实现量化，能够提高引线框架表面粗化的效果，生产成本更低，生产过程稳定性好。本发明通过在预镀铜粗化前后进行两次酸洗，能够保证杂质除去率的最大化，促进引线框架封装的成功率，增强引线框架与封装的结合力。本发明中的抗拉强度为626～630MPa，延伸率20～23％，导电率为178～182％IACS，粗糙度0.092～0.097μm，热膨胀系数为17.2×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 铜粗化无 引脚 封装 引线 框架 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
