[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其形成方法在审
| 申请号： | 202010773465.6 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113130320A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林孟汉;陈德安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种肖特基势垒二极管及其形成方法。一种制造肖特基势垒二极管的方法包含：在衬底上方形成第一阱区；在所述第一阱区上方形成第一介电层；通过减小所述第一介电层的第一厚度来将所述第一介电层图案化；移除所述第一介电层以暴露出所述第一阱区的表面；及在所述第一阱区上方形成导电层以获得肖特基势垒界面。还提供一种基于上述方法制造的肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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