[发明专利]一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置有效
申请号: | 202010774596.6 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN111996510B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 张金风;任泽阳;吴勇;王东;崔傲;操焰;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/52;C23C16/511;C23C16/455 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置,该方法包括:获取第一工艺气体参数和第一目标压力、第二工艺气体参数和第二目标压力、第三工艺气体参数和第三目标压力;根据第一工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行,获取第一实时压力,根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对比例阀进行控制;根据第二工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行,获取第二实时压力,根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制;根据第三工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行,获取第三实时压力,根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制。该方法实现了各个阶段对真空压力的精确控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 金刚石 生长 plc 真空 压力 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院,未经西安电子科技大学芜湖研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010774596.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的