[发明专利]背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件

摘要

本发明提供了背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳电池包括硅基体、少子收集层、多子收集膜、少子端电极以及多子端电极；少子收集层形成于整个硅基体的背光面上；少子收集层的材料选自：硅、硅碳化合物、硅锗化合物中的至少一种；多子收集膜形成于少子收集层的背光面的局部区域上；少子端电极设置在少子收集层的背光面中多子收集膜之外的区域上；多子端电极设置在所述多子收集膜上。多子通过少子收集层的势垒进入多子收集膜，调节少子收集层的厚度和掺杂浓度，以调整多子遂穿的能级范围和遂穿宽度，使得多子利于遂穿，提高了多子遂穿效率，降低了串联电阻，且整个少子收集层和多子收集膜的调节工艺简单。