[发明专利]用于CVD设备的方法及相应的CVD设备有效
申请号: | 202010775283.2 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN111893462B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 吴科俊;陈金元;胡宏逵 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/52;C23C16/24;C23C16/50;C23C16/44;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供用于CVD设备的方法及相应的CVD设备。所述方法首先将托盘的温度控制成不高于第一预设温度,并将完成制绒清洗的硅片放置到所述托盘中;然后将承载有硅片的托盘传送至CVD设备的CVD反应腔,并在所述CVD反应腔中通过CVD工艺在硅片上形成CVD膜;接着将承载有完成CVD工艺的硅片的托盘传送出CVD反应腔。本发明能有效抑制太阳能电池制造中因托盘温度过高导致的硅片边缘氧化及电池黑边现象,能有效提高电池良率和推动太阳能电池的量产化进程。 | ||
搜索关键词: | 用于 cvd 设备 方法 相应 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的