[发明专利]磁控溅射装置及方法在审
| 申请号： | 202010776338.1 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111910162A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈小童 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控溅射装置，包括腔体，腔体的外部设有：处理器，用于在磁控溅射的过程中获取靶材的消耗信息，并根据消耗信息确定对磁场进行补偿的补偿信息；次生磁场源，与磁体相对设置且与处理器电性连接，用于根据补偿信息产生对应的次生磁场以对磁场进行补偿。本发明提供的磁控溅射装置，通过在腔体的外部设置处理器和次生磁场源，利用处理器获取靶材在磁控溅射过程中的消耗信息并根据消耗信息确定对磁体所产生的不均匀磁场进行补偿的补偿信息，然后控制次生磁场源根据补偿信息产生对应的次生磁场，通过次生磁场对磁体所产生的不均匀磁场进行补偿，从而提高靶材的利用率和基片上所成膜层的均匀性。本发明还提供一种磁控溅射方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
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