[发明专利]一种含卤素修饰核心基的共轭小分子半导体材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 202010776416.8 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111848649B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈海燕;肖泽云;孙宽;陆仕荣;杨可;付杰浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学 |
| 主分类号： | C07D519/00 | 分类号： | C07D519/00;H01L51/46 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 代玲 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含卤素修饰核心基的共轭小分子半导体材料及其制备与应用。所述小分子半导体材料包含卤代二维噻吩并噻吩核心、桥联单元和己基噻吩端基，其制备方法是循环使用有机锡试剂反应和Still偶联得到目标分子，共七步反应：锡试剂反应、Still偶联反应、锡试剂反应、Still偶联反应、锡试剂反应、Still单边偶联反应和Still双边偶联反应，七步反应中三步锡试剂反应均以无需过柱的粗产物直接投入下一步反应，高效且操作简单。本发明的小分子半导体材料拥有较长范围的紫外‑可见吸收，较深的电子最高占有轨道和最低空轨道，具有良好的溶解性和吸光性能，可以作为小分子有机太阳能电池的电子给体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤素 修饰 核心 共轭 分子 半导体材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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