[发明专利]一种基于磁光效应的介质折射率传感器

摘要

本发明提供了一种基于磁光效应的介质折射率传感器，磁性材料层置于基底上，金属微纳结构阵列置于磁性材料层上，金属微纳结构阵列为一维周期性排列的金属微纳结构，金属微纳结构为条形，金属微纳结构的截面为圆弧，圆弧与磁性材料层的表面相切。应用时，待测介质置于磁性材料层表面，特别地，待测介质置于圆弧与磁性材料层表面之间的狭小空间。待测介质改变了金属微纳结构的局域电磁场与磁性材料层之间的相互作用，从而改变了磁光效应的强度，通过磁光效应强度的变化实现介质折射率探测。由于介质的折射率对金属微纳结构的局域电磁场与磁性材料层之间的作用影响非常严重，所以本发明具有介质折射率探测灵敏度高的优点。