[发明专利]一种磁场偏置的手性分子传感器件在审

专利信息
申请号: 202010777122.7 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN111982823A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 秦俊;毕磊;邓龙江;康同同;夏爽;杨伟豪 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/19 分类号: G01N21/19
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及磁光表面等离子共振纳米光学器件以及手性分子传感的交叉领域,具体为一种磁场偏置的手性分子传感器件。本发明采用高磁光效应和低损耗的磁性氧化物材料结合顶层贵金属等离子共振结构层的表面等离子共振或腔体谐振的设计,实现磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性,从而可以通过外加磁场偏置简单、有效地消除结构手性,精确的获得手性分子的信号,且依然保持强的光学手性近场增强,解决结构加工误差问题;并且由于器件是亚波长结构,利于器件的小型化和集成化,可应用于生物制药领域的手性药物分子的检测。
搜索关键词: 一种 磁场 偏置 手性 分子 传感 器件
【主权项】:
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