[发明专利]一种背接触晶硅叠层太阳能电池钙钛矿制备及涂抹装置有效
申请号: | 202010778143.0 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN111883603B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 夏勇辉;孙涛 | 申请(专利权)人: | 山西穿越光电科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/18 |
代理公司: | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人: | 刘冉 |
地址: | 044500 山西省运*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种背接触晶硅叠层太阳能电池钙钛矿制备及涂抹装置,包括顶电池和底电池;所述顶电池为钙钛矿太阳能电池;底电池为背接触晶硅太阳能电池;所述顶电池位于底电池的上端,所述顶电池包括主基层、吸光层、副基层;所述吸光层为两层;所述主基层包括石墨烯、电子传输层和氧化钼;所述副基层包括氧化镍和氧化铟锡;所述吸光层通过涂抹装置涂抹到主基层上;本发明中使用的涂抹装置通过一号电机改变型板的上端与矩形块的上端的距离,同时与二号电机带动刮块对型板的上端面刮动相配合,使得主基层能够在大规模涂抹吸光层的同时能够保证吸光层厚度的均匀性,从而提高了钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池的品质和生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 晶硅叠层 太阳能电池 钙钛矿 制备 涂抹 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西穿越光电科技有限责任公司,未经山西穿越光电科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010778143.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的