[发明专利]多层存储器中的层交错在审
| 申请号： | 202010778252.2 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112328508A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈觅凯;振刚·陈;C·S·Y·光 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及多层存储器中的层交错。可接收待存储于存储器组件处的数据。可确定用以存储所述数据的第一部分的所述存储器组件的第一层的第一位置。可确定用以存储所述数据的第二部分的所述存储器组件的第二层的第二位置，其中所述第二层不同于所述第一层。可将所述数据的所述第一部分存储于所述存储器组件的所述第一层处，且可将所述数据的所述第二部分存储于所述存储器组件的所述第二层处。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储器 中的 交错 | ||
【主权项】：
暂无信息
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