[发明专利]提高晶硅表层掺磷、掺硼激活率的热扩散方法在审
| 申请号： | 202010780681.3 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111883420A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 韩培德;李韶杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高晶硅表层掺磷、掺硼激活率的热扩散方法，包括以下步骤：在热扩散过程中，通过降低扩入晶硅表层时的磷杂质原子或硼杂质原子的浓度至与所述晶硅表层所需的激活掺杂浓度一致，从而提高掺杂激活率；其中，所述掺杂激活率定义为在同一面积内的替位掺杂离子面密度与相同杂质原子总掺入面密度之比，所述面密度为浓度随深度的积分。本发明的方法能够使间隙杂质浓度和面密度降到最低，掺杂激活率提到最高，有助于提高晶硅半导体材料及其pn结质量，有助于提高晶硅电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 表层 激活 扩散 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
