[发明专利]具有椭圆形电容单元阵列的存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种椭圆形电容单元阵列，包括：衬底，其被配置为承载电容单元；以及多个电容单元，其在衬底中在第一方向上延伸，其中所述电容单元在横向于第一方向的第二方向上的横截面为椭圆，并且所述电容单元在衬底中被布置为使得相邻电容单元之间的最小间距不小于最小间距阈值。本发明还涉及该电容单元阵列的制造方法。通过本发明，可以显著提高电容的性能、尤其是铁电性，由此显著提高存储器、尤其是铁电存储器的性能。