[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010782291.X | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112420660A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 矶崎诚也;小林达也;神纳浩太 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/535;H01L23/00;H01L23/31;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：键合焊盘，在第一布线层中形成；以及第一布线和第二布线，在第二布线层中形成，该第二布线层设置在第一布线层下方的一层。此处，电源电位和参考电位将分别被供应给各自的第一布线和第二布线。而且，在透视平面图中，第一布线中的每个第一布线彼此邻近布置，并且布置在第二布线层的第一位置处，该第一位置与第一键合焊盘的键合区重叠。而且，在透视平面图中，第二布线布置在第二布线层的第二位置处，该第二位置与位于第一键合焊盘与第二键合焊盘之间的第一区重叠。进一步地，每个第一布线的宽度小于第二布线的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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