[发明专利]三维结构三态内容可寻址存储器在审
申请号: | 202010782603.7 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN113972215A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 陈亮瑜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1159 | 分类号: | H01L27/1159;H01L27/11592;H01L27/11597;G11C15/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露一种三维结构三态内容可寻址存储器,其包括一第一晶体管层、一第二晶体管层、一第三晶体管层及一第四晶体管层。第一晶体管层设置于一第一平面,沿平行于第一平面的一第一方向延伸。第二晶体管层设置于第一平面,平行于第一晶体管层,沿第一方向延伸。第三晶体管层在垂直于第一平面的一第二方向堆叠于第一晶体管层。第四晶体管层在第二方向堆叠于第二晶体管层。第一晶体管层、第二晶体管层、第三晶体管层及第四晶体管层的其中之二为三态内容可寻址存储器的一第一存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管。第一晶体管层、第二晶体管层、第三晶体管层及第四晶体管层的其中另二为三态内容可寻址存储器的一第二存储单元的一第一晶体管及一第二晶体管。 | ||
搜索关键词: | 三维 结构 三态 内容 寻址 存储器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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