[发明专利]锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法在审
申请号: | 202010783261.0 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN111733448A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 于凯;王健;马林;李强;霍晓青 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C30B15/22 | 分类号: | C30B15/22;C30B29/40 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 李美英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法,特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置,炉外控制装置包括:氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制,并通过缓慢线性的增大动态气氛流量,极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定,晶体的放肩角度光滑连续,对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用,有助于高质量的锑化铟单晶生长。 | ||
搜索关键词: | 锑化铟 晶体生长 过程 中放肩 形貌 调节 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所,未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010783261.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种补水保湿面膜及其制备方法
- 下一篇:降低渣油中金属含量的方法和装置