[发明专利]在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺有效
| 申请号： | 202010783268.2 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111890132B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈晨;杨洪星;索开南;李聪;庞炳远;杨静;王雄龙;张伟才;赵权 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B57/02;H01L21/306;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 杨舒文 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调，实现各抛光步骤应有的效果。通过这种方式抛光的晶片的总厚度变化可保持至≤2μm水平，平整度可保持至≤0.5μm的水平，有效提升了加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光机 实现 mems 尺寸 硅片 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
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