[发明专利]递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法在审
| 申请号： | 202010783301.1 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111893575A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 霍晓青;周传新;刘禹岑;周金杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B1/12;C30B29/10 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法。将砷、锗、镉或砷锗镉原料对应放入原料合成或者单晶生长的第一层坩埚中，然后把第一层坩埚放入第二层坩埚中，计算第一层和第二层坩埚之间的空间体积，按照公式PV=nRT计算，取适当质量的Cd单质放入第一层和第二层坩埚之间。按照相同方法，将第二层坩埚放入第三层坩埚中，取适量Cd单质放入，逐步降低坩埚之间的压力差，保证实验安全。通过该设计，可以分段缓解砷锗镉原料合成或者晶体生长时，生长坩埚的压力，降低实验过程危险性，提高安全系数。该方法可以保证砷锗镉原料合成和单晶生长时操作的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 递进 改进 坩埚 压力 砷锗镉 原料 合成 生长 方法 | ||
【主权项】：
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