[发明专利]一种具有晶体结构检测及原位修复功能的装置有效
| 申请号： | 202010783693.1 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112018000B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;吴改;汪启军;东芳;曹强;甘志银 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 吴艳姣 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有晶体结构检测及原位修复功能的装置，其采用连续激光对半导体薄膜材料的散射光谱进行激发和采集，能够快速、无损地判断半薄膜材料整体及局部区域的晶体质量，然后通过皮秒、飞秒等超短脉冲高能激光束对半导体薄膜材料中晶体质量较差的区域进行辐射，从而激发薄膜材料相应区域中的原子发生重构，最终实现对半导体薄膜材料检测区域晶体结构的原位修复。基于超短脉冲激光作用时间短、热影响范围小、能量密度高的特点，结合气氛及温压条件的控制，该装置能够快速且有针对性地实现大尺寸半导体薄膜材料表面晶格损伤的修复，提高其晶体质量，特别适用于掺杂半导体薄膜材料，能够有效提高其均匀性和晶体质量，优化薄膜的工艺性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶体结构 检测 原位 修复 功能 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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