[发明专利]绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品在审
申请号: | 202010784767.3 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN112018172A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 刘利书 | 申请(专利权)人: | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/417 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 金铭 |
地址: | 528311 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及半导体领域,具体涉及提供了一种绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品,包括漂移区、栅极结构、发射极、发射极源区以及与发射极源区接触的体区,于所述漂移区的顶层沿器件的垂直方向开设第一沟槽以及第二沟槽,所述栅极结构填充于所述第一沟槽,发射极填充于所述第二沟槽,其中,栅极结构与发射极之间设置发射极源区,第二沟槽的深度大于发射极源区的厚度。栅极结构与发射极金属之间形成横向电场,横向电场作用在发射极源区与体区的交界处形成载流子收集层,增强了载流子在交界处的收集、存储效果,从而减少了体区与发射极源区之间的电流,降低导通压降,降低闩锁效应发生几率。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 栅双极型 晶体管 智能 功率 器件 电子产品 | ||
【主权项】:
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